晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制備及檢測裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810033938.8 申請日 -
公開（公告）號 CN101311344A 公開（公告）日 2008-11-26
申請公布號 CN101311344A 申請公布日 2008-11-26
分類號 C30B29/06(2006.01);C30B28/02(2006.01);C30B33/02(2006.01) 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 樓祺洪;袁志軍;周軍;董景星;魏運榮;趙宏明 申請（專利權(quán)）人 南京中安光電科技有限公司
代理機構(gòu) 上海新天專利代理有限公司 代理人 張澤純
地址 201800上海市800－211郵政信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制備及檢測裝置，其特點是由激光源、分光器、光束整形系統(tǒng)、多晶硅薄膜基片、光學聚焦系統(tǒng)、受激拉曼光譜接收系統(tǒng)、拉曼數(shù)據(jù)分析并反饋系統(tǒng)和移動工作臺組成，本發(fā)明可以為多晶硅薄膜的制備的同時進行在線檢測，為多晶硅薄膜的制備提供最佳的能量密度，所述的檢測為非破壞性測試，具有測試成本低、檢測快捷等優(yōu)點；更重要的是，本裝置可以精確地檢測多晶硅薄膜的粒度，提高優(yōu)良率并增加產(chǎn)能。適用于產(chǎn)業(yè)化多晶硅薄膜的制備和實時檢測，可精確檢測晶粒大小并對激光能量密度實時監(jiān)控。