晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制備及檢測(cè)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810033938.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101311344B 公開(kāi)（公告）日 2010-08-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN101311344B 申請(qǐng)公布日 2010-08-04
分類(lèi)號(hào) C30B29/06(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 樓祺洪;袁志軍;周軍;董景星;魏運(yùn)榮;趙宏明 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 南京中安光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海新天專(zhuān)利代理有限公司 代理人 中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所;南京中安光電科技有限公司
地址 201800 上海市800-211郵政信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制備及檢測(cè)裝置，其特點(diǎn)是由激光源、分光器、光束整形系統(tǒng)、多晶硅薄膜基片、光學(xué)聚焦系統(tǒng)、受激拉曼光譜接收系統(tǒng)、拉曼數(shù)據(jù)分析并反饋系統(tǒng)和移動(dòng)工作臺(tái)組成，本發(fā)明可以為多晶硅薄膜的制備的同時(shí)進(jìn)行在線檢測(cè)，為多晶硅薄膜的制備提供最佳的能量密度，所述的檢測(cè)為非破壞性測(cè)試，具有測(cè)試成本低、檢測(cè)快捷等優(yōu)點(diǎn)；更重要的是，本裝置可以精確地檢測(cè)多晶硅薄膜的粒度，提高優(yōu)良率并增加產(chǎn)能。適用于產(chǎn)業(yè)化多晶硅薄膜的制備和實(shí)時(shí)檢測(cè)，可精確檢測(cè)晶粒大小并對(duì)激光能量密度實(shí)時(shí)監(jiān)控。