一種MEMS溫濕壓三合一傳感器芯片及其制造工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111252208.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114152360A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114152360A 申請(qǐng)公布日 2022-03-08
分類(lèi)號(hào) G01K7/16（2006.01）I;G01L1/18（2006.01）I;G01N27/22（2006.01）I 分類(lèi) 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 陳果;吳世海;韓立業(yè);李江龍;鮑義東;王江 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 貴州航天智慧農(nóng)業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 貴陽(yáng)中新專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 李龍
地址 550025貴州省貴陽(yáng)市貴陽(yáng)國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)金陽(yáng)科技產(chǎn)業(yè)園標(biāo)準(zhǔn)廠房輔助用房B519室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種MEMS溫濕壓三合一傳感器芯片及其制造工藝，包括SOI晶圓，SOI晶圓包括體硅層、埋氧層和器件硅層，SOI晶圓上生長(zhǎng)有一層金屬薄膜，金屬薄膜上通過(guò)作圖案化構(gòu)造有測(cè)溫電阻和測(cè)壓電阻,金屬薄膜外還沉積一層SiO2層作為溫度補(bǔ)償層和內(nèi)層介質(zhì)，SiO2層上作圖案化形成有通孔，SiO2層上沉積一層導(dǎo)電金屬層，導(dǎo)電金屬層上作圖形化形成有金屬焊盤(pán)和金屬連接線，以將壓敏電阻連接成惠斯通電橋，該導(dǎo)電金屬層上還圖形化作出有測(cè)濕用叉指式結(jié)構(gòu)，SOI晶圓襯底背部刻蝕有腔體結(jié)構(gòu)。以解決現(xiàn)有傳感器不利于部分場(chǎng)景下智能產(chǎn)品的整體尺寸控制，缺少?gòu)?fù)合溫濕壓測(cè)量功能的便捷設(shè)計(jì)，部分帶有復(fù)合測(cè)量功能的設(shè)計(jì)不能有效減少寄生電容等問(wèn)題。屬于傳感器技術(shù)領(lǐng)域。