一種壓阻式MEMS傳感器及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111263794.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114184309A | 公開(公告)日 | 2022-03-15 |
申請公布號 | CN114184309A | 申請公布日 | 2022-03-15 |
分類號 | G01L1/18(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 陳果;吳世海;李江龍;鮑義東;王江 | 申請(專利權(quán))人 | 貴州航天智慧農(nóng)業(yè)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 貴陽中新專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 李龍 |
地址 | 550025貴州省貴陽市貴陽國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)金陽科技產(chǎn)業(yè)園標(biāo)準(zhǔn)廠房輔助用房B519室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種壓阻式MEMS傳感器及其制備方法,包括SOI晶圓,SOI晶圓由依次設(shè)置的體硅層、埋氧層和器件硅層組成,器件硅層上生長有一層金屬薄膜,金屬薄膜上通過作圖案化構(gòu)造有壓敏電阻,壓敏電阻外還沉積一層頂部絕緣層,頂部絕緣層上作圖案化形成有連通至壓敏電阻的通孔,頂部絕緣層上還沉積一層導(dǎo)電金屬層,導(dǎo)電金屬層上作圖形化形成有金屬焊盤和金屬連接線,壓敏電阻通過導(dǎo)電金屬層連接形成惠斯通電橋,體硅層上刻蝕形成有壓力敏感薄膜。以解決壓阻式MEMS壓力傳感器的靈敏度與膜厚之間的折中問題。屬于MEMS傳感技術(shù)領(lǐng)域。 |
