一種壓阻式MEMS傳感器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111263794.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114184309A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114184309A 申請公布日 2022-03-15
分類號 G01L1/18（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 陳果;吳世海;李江龍;鮑義東;王江 申請（專利權(quán)）人 貴州航天智慧農(nóng)業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 貴陽中新專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 李龍
地址 550025貴州省貴陽市貴陽國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)金陽科技產(chǎn)業(yè)園標(biāo)準(zhǔn)廠房輔助用房B519室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種壓阻式MEMS傳感器及其制備方法，包括SOI晶圓，SOI晶圓由依次設(shè)置的體硅層、埋氧層和器件硅層組成，器件硅層上生長有一層金屬薄膜，金屬薄膜上通過作圖案化構(gòu)造有壓敏電阻,壓敏電阻外還沉積一層頂部絕緣層，頂部絕緣層上作圖案化形成有連通至壓敏電阻的通孔，頂部絕緣層上還沉積一層導(dǎo)電金屬層，導(dǎo)電金屬層上作圖形化形成有金屬焊盤和金屬連接線，壓敏電阻通過導(dǎo)電金屬層連接形成惠斯通電橋，體硅層上刻蝕形成有壓力敏感薄膜。以解決壓阻式MEMS壓力傳感器的靈敏度與膜厚之間的折中問題。屬于MEMS傳感技術(shù)領(lǐng)域。