一種基于S含量梯度變化的類(lèi)硫硒化鎘納米帶的波長(zhǎng)選擇性光探測(cè)器及其構(gòu)建方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710330199.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107316908A 公開(kāi)（公告）日 2017-11-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN107316908A 申請(qǐng)公布日 2017-11-03
分類(lèi)號(hào) H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/10(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王笑;朱小莉;藍(lán)文安;潘安練;劉建哲;徐良 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 黃山博藍(lán)特光電技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長(zhǎng)沙市融智專(zhuān)利事務(wù)所 代理人 黃山博藍(lán)特光電技術(shù)有限公司
地址 245000 安徽省黃山市屯溪區(qū)奕棋鎮(zhèn)龍井路11號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于S含量梯度變化的類(lèi)硫硒化鎘納米帶的波長(zhǎng)選擇性光探測(cè)器及其構(gòu)建方法，屬于低維半導(dǎo)體材料光電應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所設(shè)計(jì)的選擇性光探測(cè)器由n個(gè)電極和類(lèi)硫硒化鎘納米帶構(gòu)成；所述n大于等于3；所述類(lèi)硫硒化鎘納米帶的化學(xué)式為CdSxSe1?x；所述類(lèi)硫硒化鎘納米帶上，S的含量呈梯度變化；所述x小于1。波長(zhǎng)選擇性光探測(cè)器構(gòu)建方法為將梯度納米帶分散到SiO2基底上,經(jīng)過(guò)光刻，熱蒸發(fā)60/20nm?Cr/Au,去膠后得到納米帶器件。本發(fā)明通過(guò)選擇單根納米帶不同位置的電極可以得到對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)范圍的光探測(cè)。該探測(cè)器可以應(yīng)用于納米級(jí)光電集成電路。