單晶爐熱場裝置、單晶爐及單晶生長控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010043383.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113122910A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113122910A 申請公布日 2021-07-16
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 鄧浩;嚴立新;付澤華;馬少林;王建波;馬寶;文永飛;謝志宴 申請（專利權）人 華坪隆基硅材料有限公司
代理機構 北京工信聯(lián)合知識產權代理有限公司 代理人 白曉晰
地址 674800云南省麗江市華坪縣石龍壩鎮(zhèn)清潔載能產業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開單晶爐熱場裝置、單晶爐及單晶生長控制方法。該單晶爐熱場裝置，包括：熱屏，所述熱屏在其中心形成有氣流通道；換熱部件，所述換熱部件設置在所述氣流通道內，并圍合地形成提拉通道；所述熱屏用于設置在坩堝的上方；所述熱屏具有底部，所述底部至少部分地阻擋在所述換熱部件與所述坩堝內的硅熔體液面之間。該單晶爐熱場裝置在熱屏形成的氣流通道內，設置換熱部件，快速帶走結晶釋放的潛熱；熱屏的底部至少部分地阻擋在所述換熱部件與硅熔體液面之間，改善熱屏的效能；增加晶體縱向溫度梯度，提高晶體生長速度。