一種雙溝槽的低導(dǎo)通電阻、小柵電荷的碳化硅MOSFET器件與制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710781888.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107658340B 公開(kāi)（公告）日 2019-05-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN107658340B 申請(qǐng)公布日 2019-05-21
分類(lèi)號(hào) H01L29/78（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I; H01L21/04（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張安平; 田凱; 祁金偉; 楊明超; 陳家玉; 王旭輝; 曾翔君; 李留成 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 東莞清芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安智大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 西安交通大學(xué)
地址 710048 陜西省西安市咸寧路28號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種雙溝槽的低導(dǎo)通電阻、小柵電荷的碳化硅MOSFET器件與制備方法，器件包括源極、第一導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)接觸、第二導(dǎo)電類(lèi)型基區(qū)、重?fù)诫s第二導(dǎo)電類(lèi)型溝槽區(qū)、第一導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅柵極、第二導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅柵極、槽柵介質(zhì)、第二導(dǎo)電類(lèi)型柵氧保護(hù)區(qū)、第一導(dǎo)電類(lèi)型包裹區(qū)、第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)、第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底和漏極；本發(fā)明第一導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅柵極與第二導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅柵極形成的空間電荷區(qū)，減小了柵極與漏極的耦合，因而降低了器件柵電荷；第一導(dǎo)電類(lèi)型包裹區(qū)可以減小第二導(dǎo)電類(lèi)型柵氧保護(hù)區(qū)在漂移區(qū)中形成的空間電荷區(qū)，并且能夠有效傳輸電流，因而可以降低器件導(dǎo)通電阻；重?fù)诫s第二導(dǎo)電類(lèi)型溝槽區(qū)有效屏蔽柵氧電場(chǎng)，保護(hù)柵氧。