一種雙溝槽的低導(dǎo)通電阻、小柵電荷的碳化硅MOSFET器件與制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710781888.0 申請日 -
公開（公告）號 CN107658340B 公開（公告）日 2019-05-21
申請公布號 CN107658340B 申請公布日 2019-05-21
分類號 H01L29/78（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I; H01L21/04（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張安平; 田凱; 祁金偉; 楊明超; 陳家玉; 王旭輝; 曾翔君; 李留成 申請（專利權(quán)）人 東莞清芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 西安智大知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 西安交通大學(xué)
地址 710048 陜西省西安市咸寧路28號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種雙溝槽的低導(dǎo)通電阻、小柵電荷的碳化硅MOSFET器件與制備方法，器件包括源極、第一導(dǎo)電類型源區(qū)接觸、第二導(dǎo)電類型基區(qū)、重?fù)诫s第二導(dǎo)電類型溝槽區(qū)、第一導(dǎo)電類型多晶硅柵極、第二導(dǎo)電類型多晶硅柵極、槽柵介質(zhì)、第二導(dǎo)電類型柵氧保護區(qū)、第一導(dǎo)電類型包裹區(qū)、第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)、第一導(dǎo)電類型襯底和漏極；本發(fā)明第一導(dǎo)電類型多晶硅柵極與第二導(dǎo)電類型多晶硅柵極形成的空間電荷區(qū)，減小了柵極與漏極的耦合，因而降低了器件柵電荷；第一導(dǎo)電類型包裹區(qū)可以減小第二導(dǎo)電類型柵氧保護區(qū)在漂移區(qū)中形成的空間電荷區(qū)，并且能夠有效傳輸電流，因而可以降低器件導(dǎo)通電阻；重?fù)诫s第二導(dǎo)電類型溝槽區(qū)有效屏蔽柵氧電場，保護柵氧。