一種含內(nèi)置浮空區(qū)的低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET器件與制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710781884.2 申請日 -
公開（公告）號 CN107623043B 公開（公告）日 2019-06-14
申請公布號 CN107623043B 申請公布日 2019-06-14
分類號 H01L29/788（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/10（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張安平; 田凱; 祁金偉; 楊明超; 陳家玉; 王旭輝; 曾翔君; 李留成 申請（專利權(quán)）人 東莞清芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 西安智大知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 西安交通大學(xué);東莞清芯半導(dǎo)體科技有限公司
地址 710048 陜西省西安市咸寧路28號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種含內(nèi)置浮空區(qū)的低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET器件與制備方法，器件包括源極、第一導(dǎo)電類型源區(qū)接觸、第二導(dǎo)電類型基區(qū)、重摻雜第二導(dǎo)電類型基區(qū)、多晶硅、柵極、槽柵介質(zhì)、第二導(dǎo)電類型柵氧保護區(qū)、第二導(dǎo)電類型浮空區(qū)、第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)、第一導(dǎo)電類型襯底和漏極。本發(fā)明所述第二導(dǎo)電類型柵氧保護區(qū)下移，引入的空間電荷區(qū)對電子的阻礙減小，因此器件的導(dǎo)通電阻減??；第二導(dǎo)電類型浮空區(qū)在漂移區(qū)中引入新的電場峰，同時對器件柵氧電場起到屏蔽作用，因此提升器件擊穿電壓。