一種低導通電阻、小柵電荷的碳化硅IGBT器件與制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710781811.3 申請日 -
公開（公告）號 CN107611022B 公開（公告）日 2019-10-29
申請公布號 CN107611022B 申請公布日 2019-10-29
分類號 H01L21/04;H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張安平;田凱;祁金偉;楊明超;陳家玉;王旭輝;曾翔君;李留成 申請（專利權(quán)）人 東莞清芯半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 西安智大知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 西安交通大學;東莞清芯半導體科技有限公司
地址 710048 陜西省西安市咸寧路28號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種低導通電阻、小柵電荷的碳化硅IGBT器件與制備方法，器件包括源極、第一導電類型源區(qū)接觸、第二導電類型基區(qū)、重摻雜第二導電類型基區(qū)、第一導電類型多晶硅柵極、第二導電類型多晶硅柵極、槽柵介質(zhì)、第二導電類型柵氧保護區(qū)、第一導電類型包裹區(qū)、第一導電類型漂移區(qū)、第二導電類型襯底和漏極。本發(fā)明所述第一導電類型多晶硅柵極與第二導電類型多晶硅柵極形成的空間電荷區(qū)，減小了柵極與漏極的耦合，因而降低了器件柵電荷；第一導電類型包裹區(qū)可以減小第二導電類型柵氧保護區(qū)在漂移區(qū)中形成的空間電荷區(qū)，并且能夠有效傳輸電流，因而可以降低器件導通電阻。