一種帶浮空區(qū)的低導通電阻碳化硅IGBT器件與制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710781881.9 申請日 -
公開（公告）號 CN107731894B 公開（公告）日 2020-02-07
申請公布號 CN107731894B 申請公布日 2020-02-07
分類號 H01L29/06;H01L29/24;H01L29/739;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張安平;田凱;祁金偉;楊明超;陳家玉;王旭輝;曾翔君;李留成 申請（專利權）人 東莞清芯半導體科技有限公司
代理機構 西安智大知識產(chǎn)權代理事務所 代理人 西安交通大學;東莞清芯半導體科技有限公司
地址 710048 陜西省西安市咸寧路28號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種帶浮空區(qū)的低導通電阻碳化硅IGBT器件與制備方法，包括源極、第一導電類型源區(qū)接觸、第二導電類型基區(qū)、重摻雜第二導電類型基區(qū)、多晶硅、柵極、槽柵介質(zhì)、第二導電類型柵氧保護區(qū)、第二導電類型浮空區(qū)、第一導電類型漂移區(qū)、第二導電類型襯底和漏極。本發(fā)明所述第二導電類型柵氧保護區(qū)下移，引入的空間電荷區(qū)對電子的阻礙減小，因此器件的導通電阻減?。坏诙щ婎愋透】諈^(qū)在漂移區(qū)中引入新的電場峰，同時對器件柵氧電場起到屏蔽作用，因此提升器件擊穿電壓。