一種用于垂直流動式反應室的ALD裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201822071709.7 申請日 -
公開（公告）號 CN209162189U 公開（公告）日 2019-07-26
申請公布號 CN209162189U 申請公布日 2019-07-26
分類號 C23C16/455;C23C16/458;C23C16/52 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 左雪芹;陸雪強;潘曉霞 申請（專利權）人 中國農(nóng)業(yè)銀行股份有限公司無錫科技支行
代理機構 無錫市才標專利代理事務所（普通合伙） 代理人 張?zhí)煜?/td>
地址 214000 江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道228號天安智慧城3-104
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種用于垂直流動式反應室的ALD裝置，包括反應室、前驅體源輸送系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、臭氧發(fā)生器、控制系統(tǒng)、反應室外壁、前驅體源入口、抽氣勻氣裝置、樣品進入口、勻氣噴淋裝置、真空系統(tǒng)接口和樣品臺，所述控制系統(tǒng)的內(nèi)部設置有真空系統(tǒng)，控制系統(tǒng)的下方設置有臭氧發(fā)生器，本實用新型一種用于垂直流動式反應室的ALD裝置，樣品臺同時具有加熱功能，樣品臺尺寸不同規(guī)格，增加多樣性，通過勻氣噴淋裝置勻氣后吸附在樣品表面，在垂直流動式反應室的底部增加抽氣勻氣裝置，防止氣流迅速的從中間抽走，可提高薄膜的均勻性，對于非理想的ALD過程并不敏感，且反應室比較橫向流動式要大，可以生長一些尺度大的三維樣品。