一種用于垂直流動(dòng)式反應(yīng)室的ALD裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201822071709.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN209162189U 公開（公告）日 2019-07-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN209162189U 申請(qǐng)公布日 2019-07-26
分類號(hào) C23C16/455;C23C16/458;C23C16/52 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 左雪芹;陸雪強(qiáng);潘曉霞 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中國(guó)農(nóng)業(yè)銀行股份有限公司無錫科技支行
代理機(jī)構(gòu) 無錫市才標(biāo)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張?zhí)煜?/td>
地址 214000 江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道228號(hào)天安智慧城3-104
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種用于垂直流動(dòng)式反應(yīng)室的ALD裝置，包括反應(yīng)室、前驅(qū)體源輸送系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、臭氧發(fā)生器、控制系統(tǒng)、反應(yīng)室外壁、前驅(qū)體源入口、抽氣勻氣裝置、樣品進(jìn)入口、勻氣噴淋裝置、真空系統(tǒng)接口和樣品臺(tái)，所述控制系統(tǒng)的內(nèi)部設(shè)置有真空系統(tǒng)，控制系統(tǒng)的下方設(shè)置有臭氧發(fā)生器，本實(shí)用新型一種用于垂直流動(dòng)式反應(yīng)室的ALD裝置，樣品臺(tái)同時(shí)具有加熱功能，樣品臺(tái)尺寸不同規(guī)格，增加多樣性，通過勻氣噴淋裝置勻氣后吸附在樣品表面，在垂直流動(dòng)式反應(yīng)室的底部增加抽氣勻氣裝置，防止氣流迅速的從中間抽走，可提高薄膜的均勻性，對(duì)于非理想的ALD過程并不敏感，且反應(yīng)室比較橫向流動(dòng)式要大，可以生長(zhǎng)一些尺度大的三維樣品。