肖特基二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200720100117.2 申請日 -
公開（公告）號 CN201126822Y 公開（公告）日 2008-10-01
申請公布號 CN201126822Y 申請公布日 2008-10-01
分類號 H01L29/872(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 韓建軍 申請（專利權(quán)）人 天津市立正科技發(fā)展有限公司
代理機構(gòu) 天津才智專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 天津市立正科技發(fā)展有限公司
地址 300111天津市南開區(qū)長江道紅日南路54號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種肖特基二極管，包括硅襯底、硅外延層、二氧化硅、P+保護環(huán)、金屬硅化物、擴散阻擋層和金屬電極層；硅襯底上生長有硅外延層，外延層上沉積有二氧化硅，硅襯底和硅外延層為N型半導(dǎo)體硅材料，在硅外延層中具有P型導(dǎo)電性的保護環(huán)，P+區(qū)與外延層形成一單邊突變PN結(jié)，與肖特基結(jié)并聯(lián)，金屬硅化物在二氧化硅的窗口內(nèi)，在二氧化硅的窗口上依次覆蓋擴散阻擋層和金屬電極層。有益效果是：由于采用了P+保護環(huán)、新的金屬硅化物肖特基勢壘形成工藝和綜合管芯設(shè)計及工藝參數(shù)循環(huán)優(yōu)化，實現(xiàn)了低噪聲、低功耗、超高頻等器件技術(shù)指標(biāo)，具有優(yōu)良的正向和反向特性，提高了肖特基二極管的性能。