一種浮柵型NOR閃存的制作方法、電路以及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911093928.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110783340B 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN110783340B 申請公布日 2021-08-31
分類號 H01L27/11521;H01L21/266;H01L21/265 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任軍;徐培;呂向東;李政達(dá) 申請（專利權(quán)）人 恒爍半導(dǎo)體（合肥）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中政聯(lián)科專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 沈蒙
地址 230000 安徽省合肥市廬陽區(qū)天水路與太和路交口西北廬陽中科大校友企業(yè)創(chuàng)新園11號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種浮柵型NOR閃存的制作方法、電路以及其應(yīng)用，所述方法包括高壓PMOS管離子注入、零閾值電壓管離子注入、存儲單元離子注入和低壓PMOS管離子注入，在零閾值電壓管離子注入步驟中僅有離子注入的過程，同時對高壓的P管，低壓的P管以及存儲單元陣列區(qū)域的離子注入的劑量進(jìn)行了限定，本發(fā)明在保證了電路相關(guān)電學(xué)特性的前提下，縮減了工藝步驟、節(jié)約晶圓的制作成本、提高了制備效率，具有切實意義上的實用價值。