一種提升NorFlash存儲器存儲性能的方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110738997.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113470730A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113470730A 申請公布日 2021-10-01
分類號 G11C29/44（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 盛榮華;楊帥;陳真;李政達;任軍;呂向東;唐偉童 申請（專利權）人 恒爍半導體（合肥）股份有限公司
代理機構 合肥陸緯知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 袁浩
地址 230012安徽省合肥市廬陽區(qū)天水路與太和路交口西北廬陽中科大校友創(chuàng)新園11號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及存儲器技術領域，公開了一種提升Nor Flash存儲器存儲性能的方法及裝置，其中方法包括在接收上電操作命令后即對存儲陣列分區(qū)域檢測讀取位線上的電流并轉(zhuǎn)換為電壓△Vt，對最高修復等級的區(qū)域交替進行閾值電壓修復操作和修復驗證操作，等待下一次上電操作命令送達并重復執(zhí)行直至完成所有區(qū)域修復操作，同時直接認定出現(xiàn)斷電或違規(guī)復位操作時執(zhí)行擦除操作的區(qū)域為最高修復等級區(qū)域；本發(fā)明結合上電操作匹配執(zhí)行修復動作，不會在上電過程增加過多無用時間，平衡了修復時間與上電總時長的關系，有效達到提高問題單元閾值電壓的目的，有力防止存儲單元出現(xiàn)漏電的問題，保證了存儲的穩(wěn)定性和可靠性，節(jié)省了大量時間和功耗，有著切實意義上的實用價值。