集成ESD保護(hù)的功率MOSFET或IGBT及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010502011.1 申請日 -
公開（公告）號 CN101982881B 公開（公告）日 2012-12-12
申請公布號 CN101982881B 申請公布日 2012-12-12
分類號 H01L27/02(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 錢夢亮;陳俊標(biāo);李澤宏 申請（專利權(quán)）人 無錫矽能微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 宜興市天宇知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江蘇東光微電子股份有限公司;江蘇東晨電子科技有限公司;無錫矽能微電子有限公司
地址 214204 江蘇省宜興市新街百合工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是對集成ESD保護(hù)的功率MOSFET或IGBT改進(jìn)，其特征是ESD保護(hù)單元的多晶二極管組中各P型區(qū)濃度與功率MOSFET或IGBT的P阱濃度相同，各N型區(qū)濃度與功率MOSFET或IGBT的N+源相同；多晶二極管組在柵極壓焊區(qū)與元胞區(qū)間半環(huán)繞柵極壓焊區(qū)設(shè)置，如果為柵插指結(jié)構(gòu)，將半環(huán)繞的多晶二極管組中間由柵極插指結(jié)構(gòu)隔開，形成不連通的左右L型，其中多晶二極管的各P型區(qū)和各N型區(qū)，分別由功率MOSFET或IGBT的P阱和N+源注入和擴(kuò)散形成。所得ESD保護(hù)的功率MOSFET或IGBT，柵極與源極間漏電小，制備時柵、源極間擊穿電壓可調(diào)，ESD泄放能力高、可靠性好，制造簡單。