半導(dǎo)體裝置及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202080001568.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111902945B 公開（公告）日 2022-05-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN111902945B 申請(qǐng)公布日 2022-05-20
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃敬源;李啟珍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 英諾賽科（珠海）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳宜保知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 519085廣東省珠海市高新區(qū)金鼎工業(yè)園金園二路39號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體層、設(shè)置于所述半導(dǎo)體層上的第一經(jīng)摻雜氮化物半導(dǎo)體層、設(shè)置于所述第一經(jīng)摻雜氮化物半導(dǎo)體層上的第二經(jīng)摻雜氮化物半導(dǎo)體層。所述半導(dǎo)體裝置還包括位于所述半導(dǎo)體層及所述第一經(jīng)摻雜氮化物半導(dǎo)體層之間的未經(jīng)摻雜氮化物半導(dǎo)體層。所述未經(jīng)摻雜氮化物半導(dǎo)體層具有與所述半導(dǎo)體層接觸之第一表面及與所述第一經(jīng)摻雜氮化物半導(dǎo)體層接觸之第二表面。