p-GaN基增強(qiáng)型HEMT器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810220253.8 申請日 -
公開（公告）號 CN108511522B 公開（公告）日 2022-04-26
申請公布號 CN108511522B 申請公布日 2022-04-26
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L29/267（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金峻淵;魏進(jìn) 申請（專利權(quán)）人 英諾賽科（珠海）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 萬志香
地址 519000廣東省珠海市唐家灣鎮(zhèn)港灣大道科技一路10號主樓第六層617房B單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種p?GaN基增強(qiáng)型HEMT器件，包括：襯底；在所述襯底上的過渡層；在所述過渡層上的溝道層；在所述溝道層上的勢壘層；在所述勢壘層上的p?GaN層；以及，在所述勢壘層和所述p?GaN層上的源極、漏極、柵極和介質(zhì)層；所述勢壘層包括勢壘層A和勢壘層B，所述勢壘層A與所述勢壘層B交替層疊；所述勢壘層A的禁帶寬度大于所述勢壘層B的禁帶寬度。在勢壘層較厚的情況下，獲得了較大正值的閾值電壓，提高了HEMT器件的工作效率。