電子裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111365336.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114023818A 公開（公告）日 2022-02-08
申請公布號 CN114023818A 申請公布日 2022-02-08
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張安邦 申請（專利權(quán)）人 英諾賽科（珠海）科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳宜保知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 519085廣東省珠海市高新區(qū)金園二路39號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 電子裝置包括第一氮化物半導體層、第二氮化物半導體層、表面狀態(tài)補償層以及低k介電層。第二氮化物半導體層安置在第一氮化物半導體層上，且具有的帶隙比第一氮化物半導體層的帶隙更大。表面狀態(tài)補償層直接安置在第二氮化物半導體層上。低k介電層安置在表面狀態(tài)補償層上，并與表面狀態(tài)補償層接觸，其中低k介電層包括碳。