靜電防護(hù)電路及電子裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202111366080.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114023738A | 公開（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申請公布號(hào) | CN114023738A | 申請公布日 | 2022-02-08 |
| 分類號(hào) | H01L27/02（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 管要賓;盛健健 | 申請（專利權(quán)）人 | 英諾賽科（珠海）科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳宜保知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 519085廣東省珠海市高新區(qū)金園二路39號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 靜電防護(hù)電路包含第一晶體管、第二晶體管第三晶體管。第一晶體管具有源極、柵極、及漏極，其中第一晶體管之源極連接至功率裝置的第一端點(diǎn)，且第一晶體管之漏極連接至功率裝置的第二端點(diǎn)，其中功率裝置的第一端點(diǎn)為高電子遷移率晶體管之源極，且功率裝置的第二端點(diǎn)為橫向高電子遷移率晶體管之柵極。第二晶體管具有源極、柵極、及漏極，其中第二晶體管之源極連接至第一晶體管之柵極，且第二晶體管之柵極連接至第二晶體管之漏極。第三晶體管具有源極、柵極、及漏極，其中第三晶體管之源極連接至第二晶體管之漏極，且第三晶體管之柵極連接至所述第三晶體管之漏極與功率裝置的第二端點(diǎn)。 |
