具有隔離結構的集成式芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120980267.7 申請日 -
公開（公告）號 CN215815878U 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN215815878U 申請公布日 2022-02-11
分類號 H01L27/092（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L21/762（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙起越;石瑜 申請（專利權）人 英諾賽科（珠海）科技有限公司
代理機構 珠海智專專利商標代理有限公司 代理人 薛飛飛
地址 519000廣東省珠海市高新區(qū)金園二路39號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種具有隔離結構的集成式芯片，集成式芯片包括沿縱向布置的襯底和外延結構。外延結構包括層間電介質（I LD）層，隔離區(qū)將集成式芯片分成沿橫向布置的第一半導體器件區(qū)和第二半導體器件區(qū)。襯底包括N型區(qū)和P型區(qū)，N型區(qū)與P型區(qū)之間形成兩個PN結，兩個PN結分別位于第一半導體器件區(qū)和第二半導體器件區(qū)。外延結構內(nèi)開設有縱向延伸的三個穿玻通孔。第一穿玻通孔內(nèi)設有隔離介質，第一穿玻通孔在縱向上穿過I LD層并向下延伸至襯底的底層內(nèi)。第一源極通過第一電氣互連件與襯底的外延層電連接，第二漏極和第一源極短接。第二源極通過第二電氣互連件與襯底的外延層電連接。集成式芯片可實現(xiàn)兩個半導體器件區(qū)襯底的有效隔離。