靜電防護(hù)電路及電子裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111365645.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114093864A | 公開(公告)日 | 2022-02-25 |
申請公布號 | CN114093864A | 申請公布日 | 2022-02-25 |
分類號 | H01L27/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 管要賓;盛健健 | 申請(專利權(quán))人 | 英諾賽科(珠海)科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳宜保知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
地址 | 519085廣東省珠海市高新區(qū)金園二路39號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種靜電防護(hù)電路,其連接至功率裝置的第一端點(diǎn)及第二端點(diǎn),其中靜電防護(hù)電路經(jīng)配置以允許功率裝置之第一端點(diǎn)及第二端點(diǎn)之間的雙向靜電保護(hù),且其中功率裝置包含橫向高電子遷移率晶體管,其中靜電防護(hù)電路進(jìn)一步包含第一晶體管及第一電容器。第一晶體管具有一源極、一柵極、及一漏極,其中第一晶體管之源極連接至功率裝置的第一端點(diǎn),且第一晶體管之柵極連接至第一晶體管之漏極,其中功率裝置的第一端點(diǎn)為橫向高電子遷移率晶體管之一柵極。第一電容器連接于第一晶體管之漏極及功率裝置的第二端點(diǎn)之間,其中功率裝置的第二端點(diǎn)為橫向高電子遷移率晶體管之一漏極。 |
