采用表面微結(jié)構(gòu)硅芯沉積多晶硅的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010604262.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102020277B 公開(kāi)（公告）日 2012-05-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN102020277B 申請(qǐng)公布日 2012-05-16
分類號(hào) C01B33/035(2006.01)I 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 鐘真武;江宏富 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中科協(xié)鑫（蘇州）工業(yè)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 中科協(xié)鑫（蘇州）工業(yè)研究院有限公司;江蘇鑫華半導(dǎo)體材料科技有限公司
地址 215000 江蘇省蘇州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)昆侖山路68號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種采用表面微結(jié)構(gòu)硅芯沉積多晶硅的方法，所述方法包括使含硅氣體和氫氣在表面溫度為1000-1150℃的具有表面微結(jié)構(gòu)的硅芯上沉積并制備多晶硅，該方法與現(xiàn)有采用直徑8mm硅芯的制造方法相比，具有初始沉積表面積大、初始沉積速率快、降低還原電耗等優(yōu)點(diǎn)，另外，該方法所述初具有表面微結(jié)構(gòu)的硅芯可在現(xiàn)有反應(yīng)器中直接應(yīng)用，而無(wú)需改造設(shè)備，可節(jié)約大量設(shè)備改造費(fèi)。