一種高純度三甲基銻的制備方法及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110797051.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113563383A 公開（公告）日 2021-10-29
申請公布號 CN113563383A 申請公布日 2021-10-29
分類號 C07F9/90（2006.01）I 分類 有機(jī)化學(xué)〔2〕;
發(fā)明人 任大平 申請（專利權(quán)）人 蘇州源展材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 蘇張林
地址 215000江蘇省蘇州市中國（江蘇）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)12棟4樓401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高純度三甲基銻的制備方法及其應(yīng)用，其制備方法包括以下步驟：（1）在惰性氣氛下，將三甲基鋁滴加至鹵化銻中，滴加結(jié)束后，繼續(xù)反應(yīng)；（2）反應(yīng)結(jié)束后，通過減壓蒸餾分離粗產(chǎn)品和副產(chǎn)物；（3）將粗產(chǎn)品通過常壓精餾得到6N三甲基銻。本發(fā)明通過置換反應(yīng)法制備了一種高純度三甲基銻，反應(yīng)操作簡單，原料成本低廉，且收率可達(dá)80％以上，克服了傳統(tǒng)制備方法存在的副產(chǎn)物多、產(chǎn)品殘留等技術(shù)缺陷。此外，通過上述方法制備得到的三甲基銻的純度高達(dá)6N，可用于MOCVD以制備半導(dǎo)體光電材料。