雙(三異丙基環(huán)戊二烯基)鍶的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111121254.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113563390B | 公開(公告)日 | 2021-12-14 |
申請公布號 | CN113563390B | 申請公布日 | 2021-12-14 |
分類號 | C07F17/00(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 分類 | 有機化學〔2〕; |
發(fā)明人 | 陳鵬宇 | 申請(專利權)人 | 蘇州源展材料科技有限公司 |
代理機構 | 蘇州市中南偉業(yè)知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 蘇張林 |
地址 | 215000江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由貿易試驗區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)12棟4樓401-177 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種雙(三異丙基環(huán)戊二烯基)鍶的制備方法,包括以下步驟:(1)保護氣氛下,將氫化鍶溶解于六甲基二硅氮烷中,得到混合液;(2)向所述混合液中滴加1,2,4?三異丙基環(huán)戊二烯,在加熱回流的條件下進行反應;(3)反應結束后,收集產物,得到雙(三異丙基環(huán)戊二烯基)鍶。本發(fā)明通過一鍋法制備得到雙(三異丙基環(huán)戊二烯基)鍶,制備方法簡單,反應條件溫和、能耗低、安全性高,產物收率高達87%;此外,避免了現有技術制備的產品中含有溶劑分子配位和金屬雜質的問題,產品的金屬純度高達5N,可作為前驅體源材料用于原子層沉積技術生長納米厚度的高質量SrO薄膜。 |
