一種半導(dǎo)體和二維材料的組合功率器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810750082.X 申請日 -
公開（公告）號 CN108922890B 公開（公告）日 2018-11-30
申請公布號 CN108922890B 申請公布日 2018-11-30
分類號 H01L27/095(2006.01)I;H01L21/8258(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉新科;胡聰;王佳樂 申請（專利權(quán)）人 貴溪穿越光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 深圳大學(xué)
地址 518060廣東省深圳市南山區(qū)南海大道3688號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體和二維材料的組合功率器件及其制備方法，該器件包括異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管和二維材料晶體管，其兩者具有同一襯底，其中襯底上設(shè)置有二維材料層以及依次設(shè)置于襯底的GaN層、AlGaN層，AlGaN層與二維材料層上的兩端設(shè)置有歐姆接觸電極，且在異于歐姆接觸電極的位置設(shè)置有Al2O3薄膜，Al2O3薄膜上設(shè)置有肖特基接觸電極。該組合功率器件的表面具有Al2O3薄膜，其具有厚度均勻性、無針孔、低缺陷密度、低應(yīng)力等優(yōu)勢，這將有效降低器件的柵極泄露電流，同時(shí)該Al2O3薄膜具有高的介電常數(shù)及寬帶隙，這將使組合功率器件擁有更高的擊穿電壓、更高的工作電流而具有更大的應(yīng)用范圍。??