基于鐵電柵介質(zhì)的負電容二硫化鉬晶體管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710743092.6 申請日 -
公開（公告）號 CN107611033B 公開（公告）日 2020-03-20
申請公布號 CN107611033B 申請公布日 2020-03-20
分類號 H01L21/34;H01L21/44;H01L29/423;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉新科;劉強;俞文杰 申請（專利權(quán)）人 貴溪穿越光電科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 深圳大學(xué)
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)南海大道3688號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于鐵電柵介質(zhì)的負電容二硫化鉬晶體管及其制備方法，包括在SiO2襯底表面生長MoS2薄膜；在MoS2薄膜表面依次生長第一High?K層、第一TiN層、鐵電薄膜層、第二TiN層、第二High?K層作為柵介質(zhì)層；在柵介質(zhì)層上生長第三TiN層、Ti/Au金屬層，作為柵電極；在MoS2薄膜層上生長兩Al金屬，作為源電極和漏電極。本發(fā)明以TiN層包裹鐵電柵介質(zhì)薄膜層，金屬TiN將鐵電柵介質(zhì)薄膜極化翻轉(zhuǎn)產(chǎn)生的附加電場再平衡，均勻施加到MoS2薄膜層上，避免溝道中各點MoS2反型情況不同導(dǎo)致器件開啟緩慢、亞閾值較大等情況，同時也避免High?K層在點場強較大時，易出現(xiàn)點擊穿的情況。