基于鐵電柵介質(zhì)的負(fù)電容二硫化鉬晶體管及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710743092.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107611033B 公開(kāi)（公告）日 2020-03-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN107611033B 申請(qǐng)公布日 2020-03-20
分類(lèi)號(hào) H01L21/34;H01L21/44;H01L29/423;H01L29/78 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉新科;劉強(qiáng);俞文杰 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 貴溪穿越光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專(zhuān)利代理有限公司 代理人 深圳大學(xué)
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)南海大道3688號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于鐵電柵介質(zhì)的負(fù)電容二硫化鉬晶體管及其制備方法，包括在SiO2襯底表面生長(zhǎng)MoS2薄膜；在MoS2薄膜表面依次生長(zhǎng)第一High?K層、第一TiN層、鐵電薄膜層、第二TiN層、第二High?K層作為柵介質(zhì)層；在柵介質(zhì)層上生長(zhǎng)第三TiN層、Ti/Au金屬層，作為柵電極；在MoS2薄膜層上生長(zhǎng)兩Al金屬，作為源電極和漏電極。本發(fā)明以TiN層包裹鐵電柵介質(zhì)薄膜層，金屬TiN將鐵電柵介質(zhì)薄膜極化翻轉(zhuǎn)產(chǎn)生的附加電場(chǎng)再平衡，均勻施加到MoS2薄膜層上，避免溝道中各點(diǎn)MoS2反型情況不同導(dǎo)致器件開(kāi)啟緩慢、亞閾值較大等情況，同時(shí)也避免High?K層在點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)較大時(shí)，易出現(xiàn)點(diǎn)擊穿的情況。