一種多層外延超結(jié)結(jié)構(gòu)VDMOS的結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120066156.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213878103U 公開（公告）日 2021-08-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN213878103U 申請(qǐng)公布日 2021-08-03
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張永利;劉文;秦鵬海;王新強(qiáng);王丕龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳佳恩功率半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢聚信匯智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉丹
地址 518000廣東省深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道固興社區(qū)駿翔U8智造產(chǎn)業(yè)園U6.7棟216
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種多層外延超結(jié)結(jié)構(gòu)VDMOS的結(jié)構(gòu)，包括漏極，漏極的上方設(shè)置有襯底，襯底的上方設(shè)置有n型漂移區(qū)，n型漂移區(qū)的內(nèi)部設(shè)置有p型塊，p型塊的上方設(shè)置有p型阱，p型阱的內(nèi)部設(shè)有n+型源區(qū)和p+型短路區(qū)，在n型漂移區(qū)設(shè)置垂直于條形多晶層方向的橫向p型塊，將主要承壓層p型塊區(qū)域與p型阱的延伸方向垂直，使p型塊長(zhǎng)度不再成為限制單胞大小的因素，單胞大小完全由多晶層與多晶層間隔長(zhǎng)度決定，n型漂移區(qū)與p型塊在承受源極至漏極反向電壓時(shí)，因電荷平衡原理，相互耗盡，形成空間電荷區(qū)承擔(dān)其反向電壓，由此可降低n型漂移區(qū)和襯底的電阻率，較低的n型漂移區(qū)和襯底的電阻率在其導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，具有更小的導(dǎo)通電阻，降低了導(dǎo)通損耗。