一種提高VDMOS抗雷擊浪涌能力的結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120094572.6 申請日 -
公開（公告）號 CN214204926U 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN214204926U 申請公布日 2021-09-14
分類號 H02H7/20;H02H9/04;H01L29/78;H01L23/62 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 王新強(qiáng);王丕龍;秦鵬海;張永利;劉文 申請（專利權(quán)）人 深圳佳恩功率半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢聚信匯智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉丹
地址 廣東省深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道固興社區(qū)駿翔U8智造產(chǎn)業(yè)園U6.7棟216
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種提高VDMOS抗雷擊浪涌能力的結(jié)構(gòu)，屬于VDMOS技術(shù)領(lǐng)域。該提高VDMOS抗雷擊浪涌能力的結(jié)構(gòu)包括基礎(chǔ)組件和防護(hù)組件。所述基礎(chǔ)組件包括VDMOS器件本體、引腳和浪涌電壓抑制器，所述浪涌電壓抑制器與所述VDMOS器件本體電性連接。所述防護(hù)組件包括外殼、頂蓋、鎖緊件、隔板、限位板和扭簧。使用時(shí)，將浪涌電壓抑制器由外殼頂部開口放入，浪涌電壓抑制器兩側(cè)底部分別與兩側(cè)的限位板接觸并帶動限位板轉(zhuǎn)動，將浪涌電壓抑制器完全按入外殼內(nèi)腔后，兩個(gè)限位板在扭簧的作用下從兩側(cè)將浪涌電壓抑制器底部夾緊，再通過鎖緊件將頂蓋固定到外殼上將開口封閉即完成組裝。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性強(qiáng)，浪涌電壓抑制器易于拆裝，提高了檢修效率。