一種碘化亞銅半導體膜的微波等離子體制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910131816.7 申請日 -
公開（公告）號 CN101509122A 公開（公告）日 2009-08-19
申請公布號 CN101509122A 申請公布日 2009-08-19
分類號 C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/40(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 孫四通;于慶先 申請（專利權）人 青島高校山柏科技有限公司
代理機構 北京天平專利商標代理有限公司 代理人 青島科技大學;青島高校山柏科技有限公司
地址 266034山東省青島市四方區(qū)鄭州路53號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種碘化亞銅半導體膜的微波等離子體制備方法，該方法包括一波導及調諧裝置、一石英微波窗口、一氫氣進氣口、一等離子室、2個弧形Cu靶電極、一冷卻水系統(tǒng)、一視窗、一基座及加熱裝置、一真空系統(tǒng)、一微波系統(tǒng)、一鍍膜室、一成膜襯底、一載氣進氣口和一碘蒸氣進氣口。本方法以微波輻照產生氬的等離子體，轟擊銅靶；以純銅作靶，碘蒸汽為碘源，以微波輻照產生等離子體；微波輻照使銅、碘在到達基片之前一直處于等離子狀態(tài)；將微波輻照與離子轟擊結合在一起，保證成膜是以離子的形式進行。