一種微同軸結(jié)構(gòu)的制備方法及微同軸結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010039385.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111224203A | 公開（公告）日 | 2020-06-02 |
| 申請公布號 | CN111224203A | 申請公布日 | 2020-06-02 |
| 分類號 | H01P3/06(2006.01)I;H01P11/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 顧杰斌;夏偉鋒;魏旭東 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海邁鑄半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 上海邁鑄半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 201821上海市嘉定區(qū)嘉定工業(yè)區(qū)葉城路912號J3408室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種微同軸結(jié)構(gòu)的制備方法和微同軸結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括外面金屬框，金屬框內(nèi)部的玻璃介質(zhì)及玻璃介質(zhì)內(nèi)部的金屬電極，金屬電極與金屬框形成一個(gè)同軸結(jié)構(gòu)。該方法包括：設(shè)置貫穿第一基片和第二基片的第一通槽、第二通槽、上腔體、下腔體、第一蓋板的上凹槽和第二蓋板的下凹槽；在第一基片和第二基片上下分別加設(shè)第一蓋板和第二蓋板；上凹槽、第一通槽、下凹槽、第二通槽共同形成貫通的通槽腔體結(jié)構(gòu)，并且上腔體、下腔體也形成內(nèi)腔體結(jié)構(gòu)，在兩個(gè)腔體結(jié)構(gòu)內(nèi)分別填充金屬介質(zhì)而形成通槽金屬層和腔體金屬層；移除第一蓋板和第二蓋板進(jìn)行脫模操作；在第一基片和第二基片的兩端分別形成一階梯型端口，露出金屬并作為微同軸結(jié)構(gòu)的輸入端口和輸出端口。?? |
