一種微同軸結(jié)構(gòu)的制備方法及微同軸結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010640448.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111952708B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111952708B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-02 |
| 分類號(hào) | H01P11/00;H01P3/06 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 顧杰斌;張偉博;夏偉鋒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海邁鑄半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 賀姿;胡晶 |
| 地址 | 201821 上海市嘉定區(qū)嘉定工業(yè)區(qū)葉城路912號(hào)J3408室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種微同軸結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：先設(shè)置分別貫穿第一基片和第二基片的上通槽、下通槽、上腔體和下腔體；然后于第一基片和第二基片的外表面上沉積隔離鈍化層；接著上通槽和下通槽共同形成貫通的通槽腔體結(jié)構(gòu)，并且上腔體和下腔體形成內(nèi)腔體結(jié)構(gòu)，在通槽腔體結(jié)構(gòu)和內(nèi)腔體結(jié)構(gòu)內(nèi)分別填充金屬介質(zhì)而形成通槽金屬層和腔體金屬層；再將第一基片和第二基片進(jìn)行腐蝕去除操作，形成微同軸結(jié)構(gòu)。本發(fā)明將通槽金屬層和腔體金屬層之間的基片進(jìn)行腐蝕去除，從而在通槽金屬層和腔體金屬層之間形成內(nèi)空的腔體，內(nèi)外導(dǎo)體之間采用空氣作為介質(zhì)層，空氣的介電常數(shù)和損耗角較小，進(jìn)而可以提高微同軸結(jié)構(gòu)的傳輸性能。 |
