一種微同軸結(jié)構(gòu)的制備方法及微同軸結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010640448.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111952708A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN111952708A 申請公布日 2021-07-02
分類號 H01P11/00;H01P3/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧杰斌;張偉博;夏偉鋒 申請（專利權(quán)）人 上海邁鑄半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 賀姿;胡晶
地址 201821 上海市嘉定區(qū)嘉定工業(yè)區(qū)葉城路912號J3408室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種微同軸結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：先設(shè)置分別貫穿第一基片和第二基片的上通槽、下通槽、上腔體和下腔體；然后于第一基片和第二基片的外表面上沉積隔離鈍化層；接著上通槽和下通槽共同形成貫通的通槽腔體結(jié)構(gòu)，并且上腔體和下腔體形成內(nèi)腔體結(jié)構(gòu)，在通槽腔體結(jié)構(gòu)和內(nèi)腔體結(jié)構(gòu)內(nèi)分別填充金屬介質(zhì)而形成通槽金屬層和腔體金屬層；再將第一基片和第二基片進行腐蝕去除操作，形成微同軸結(jié)構(gòu)。本發(fā)明將通槽金屬層和腔體金屬層之間的基片進行腐蝕去除，從而在通槽金屬層和腔體金屬層之間形成內(nèi)空的腔體，內(nèi)外導(dǎo)體之間采用空氣作為介質(zhì)層，空氣的介電常數(shù)和損耗角較小，進而可以提高微同軸結(jié)構(gòu)的傳輸性能。