具有雙InGaN子量子阱的共振隧穿二極管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410696211.3 申請日 -
公開（公告）號 CN104465913B 公開（公告）日 2017-06-16
申請公布號 CN104465913B 申請公布日 2017-06-16
分類號 H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊林安;陳浩然;李月;田言;陳安;郝躍 申請（專利權）人 廈門宇臻集成電路科技有限公司
代理機構 陜西電子工業(yè)專利中心 代理人 西安電子科技大學;廈門宇臻集成電路科技有限公司
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有雙InGaN子量子阱的共振隧穿二極管，主要改善現(xiàn)有器件隧穿電流小、I?V特性可重復性差的問題。其包括主體和輔體兩部分，主體部分自下而上為：SiC襯底層、GaN外延層、n+GaN集電極歐姆接觸層、第一GaN隔離層、第一InAlN勢壘層、第一GaN主量子阱層、第二GaN主量子阱層、第二InAlN勢壘層、第二GaN隔離層和n+GaN發(fā)射極歐姆接觸層；輔體部分有環(huán)形電極、圓形電極和鈍化層。環(huán)形電極在n+GaN集電極歐姆接觸層上方，圓形電極在n+GaN發(fā)射極歐姆接觸層上方，鈍化層在環(huán)形和圓形電極上方。本發(fā)明能有效提高器件功率、降低功耗并改善可重復性，適用于太赫茲頻段工作。