Si襯底的AlGaN薄膜結(jié)構(gòu)及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011551635.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112687779A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112687779A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-20 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 高芳亮;楊金銘 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳市昂德環(huán)球科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市精英專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人 | 武志峰 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南九道45號(hào)西北工業(yè)大學(xué)三航科技大廈16層1611 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了Si襯底的AlGaN薄膜結(jié)構(gòu)及制備方法，所述Si襯底的AlGaN薄膜結(jié)構(gòu)包括：生長(zhǎng)在Si襯底上的基礎(chǔ)AlN層、生長(zhǎng)在所述基礎(chǔ)AlN層上的第一高溫AlN層、生長(zhǎng)在所述第一高溫AlN層上的低溫AlN層、生長(zhǎng)在所述低溫AlN層上的第二高溫AlN層、生長(zhǎng)在所述第二高溫AlN層上的第一AlGaN層、生長(zhǎng)在所述第一AlGaN層上的第二AlGaN層，其中所述第二AlGaN層的厚度比所述第一AlGaN層的厚度大。本發(fā)明在Si襯底上制備AlN緩沖層，并采用低溫結(jié)合高溫AlN緩沖層技術(shù)，能夠有效避免降低Si和Ga之間在高溫下的回熔刻蝕反應(yīng)，克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，獲得高性能的AlGaN薄膜。?? |
