一種AlGaN基深紫外LED外延片及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> 2020113298531 申請日 -
公開（公告）號 CN112271240A 公開（公告）日 2021-01-26
申請公布號 CN112271240A 申請公布日 2021-01-26
分類號 H01L33/12(2010.01)I; 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高芳亮;楊金銘 申請（專利權(quán)）人 深圳市昂德環(huán)球科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市精英專利事務(wù)所 代理人 武志峰
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南九道45號西北工業(yè)大學三航科技大廈16層1611
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種AlGaN基深紫外LED外延片及制備方法，所述AlGaN基深紫外LED外延片包括：生長在藍寶石襯底上的SiN層、生長在所述SiN層上的多個GaN納米柱、對應(yīng)包裹在所述多個GaN納米柱外層的多個AlN納米柱殼層、對應(yīng)包裹在所述多個AlN納米柱殼層外層的多個AlGaN納米柱殼層、生長在所述多個AlGaN納米柱殼層上的非摻雜AlGaN層、生長在所述非摻雜AlGaN層上的n型摻雜AlGaN層、生長在所述n型摻雜AlGaN層上的AlGaN多量子阱層、生長在所述AlGaN多量子阱層上的電子阻擋層、生長在所述電子阻擋層上的p型摻雜AlGaN層、生長在所述p型摻雜AlGaN層上的p型摻雜GaN層。本發(fā)明采用納米柱結(jié)構(gòu)代替?zhèn)鹘y(tǒng)復雜的多層薄膜緩沖層結(jié)構(gòu)，降低藍寶石和AlGaN之間的晶格失配，提高了性能。??