一種Si襯底的GaN薄膜及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011548786.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112563379A | 公開（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112563379A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-26 |
| 分類號(hào) | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 高芳亮;楊金銘 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳市昂德環(huán)球科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市精英專利事務(wù)所 | 代理人 | 武志峰 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南九道45號(hào)西北工業(yè)大學(xué)三航科技大廈16層1611 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種Si襯底的GaN薄膜及制備方法，所述Si襯底的GaN薄膜包括：生長(zhǎng)在Si襯底上的基礎(chǔ)AlN層、生長(zhǎng)在所述基礎(chǔ)AlN層上的第一AlGaN層、生長(zhǎng)在所述第一AlGaN層上的SixNy層、生長(zhǎng)在所述SixNy層上的第二AlGaN層、生長(zhǎng)在所述第二AlGaN層上的低溫GaN層、生長(zhǎng)在所述低溫GaN層上的高溫GaN層。本發(fā)明實(shí)施例在緩沖層結(jié)構(gòu)中插入SixNy層，有利于緩解外延層生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力，并且該層能夠有效的釘扎位錯(cuò)，最終能夠有效緩解薄膜中缺陷密度，從而實(shí)現(xiàn)高晶體質(zhì)量GaN薄膜生長(zhǎng)；本發(fā)明使用Si作為襯底，襯底容易獲得，有利于降低生產(chǎn)成本。?? |
