一種屏蔽柵-溝槽型MOSFET的結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110355178.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112736138A 公開(kāi)（公告）日 2021-04-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN112736138A 申請(qǐng)公布日 2021-04-30
分類(lèi)號(hào) H01L29/423;H01L29/786;H01L21/336 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊國(guó)江;于世珩;張勝凱;白宗緯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇長(zhǎng)晶科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京華訊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉小吉
地址 210000 江蘇省南京市江北新區(qū)研創(chuàng)園騰飛大廈C座13樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種屏蔽柵?溝槽型MOSFET的結(jié)構(gòu)及其制造方法。本發(fā)明中的屏蔽柵?溝槽型MOSFET采用階梯柵極氧化物構(gòu)成柵介質(zhì)層，所述階梯柵極介質(zhì)層為n階氧化物，從溝槽下方到溝槽上方的氧化物厚度分別為D1，D2，……，Dn，其中，D1>D2>……>Dn。本發(fā)明中公開(kāi)的采用階梯柵極氧化物作為柵介質(zhì)層的屏蔽柵?溝槽型MOSFET結(jié)構(gòu)，可以有效地實(shí)現(xiàn)柵極和漏極之間的隔離，減小柵漏電容Cgd，還能使得該MOSFET具有較低的比導(dǎo)通電阻且保持高的擊穿電壓，提高M(jìn)OSFET的性能。