一種屏蔽柵-溝槽型MOSFET的結構及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110355178.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112736138A 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN112736138A 申請公布日 2021-04-30
分類號 H01L29/423;H01L29/786;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊國江;于世珩;張勝凱;白宗緯 申請（專利權）人 江蘇長晶科技股份有限公司
代理機構 南京華訊知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉小吉
地址 210000 江蘇省南京市江北新區(qū)研創(chuàng)園騰飛大廈C座13樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種屏蔽柵?溝槽型MOSFET的結構及其制造方法。本發(fā)明中的屏蔽柵?溝槽型MOSFET采用階梯柵極氧化物構成柵介質(zhì)層，所述階梯柵極介質(zhì)層為n階氧化物，從溝槽下方到溝槽上方的氧化物厚度分別為D1，D2，……，Dn，其中，D1>D2>……>Dn。本發(fā)明中公開的采用階梯柵極氧化物作為柵介質(zhì)層的屏蔽柵?溝槽型MOSFET結構，可以有效地實現(xiàn)柵極和漏極之間的隔離，減小柵漏電容Cgd，還能使得該MOSFET具有較低的比導通電阻且保持高的擊穿電壓，提高MOSFET的性能。