屏蔽柵溝槽MOSFET及其制備方法、電子設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010906159.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111834463A 公開（公告）日 2020-10-27
申請公布號 CN111834463A 申請公布日 2020-10-27
分類號 H01L29/78(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊國江;賴信彰;于世珩 申請（專利權(quán)）人 江蘇長晶科技股份有限公司
代理機構(gòu) 北京布瑞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 江蘇長晶科技有限公司
地址 211800江蘇省南京市江北新區(qū)研創(chuàng)園江淼路88號騰飛大廈C棟13樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種屏蔽柵溝槽MOSFET及其制備方法、電子設(shè)備，該制備方法包括：在外延半導(dǎo)體層上形成溝槽；在溝槽的內(nèi)壁形成第一絕緣層，并在溝槽中形成第一柵極，第一絕緣層和第一柵極延伸至外延半導(dǎo)體層的表面，第一絕緣層用于隔開第一柵極和外延半導(dǎo)體層；刻蝕第一絕緣層和第一柵極，使得刻蝕后的第一絕緣層的表面與刻蝕后的第一柵極的表面共面；在刻蝕后的第一柵極和刻蝕后的第一絕緣層的表面形成層間介電層；在溝槽的上部的側(cè)壁上形成第二絕緣層，并在溝槽的上部中形成第二柵極，其中，溝槽的上部為層間介電層遠(yuǎn)離第一柵極的表面至溝槽開口的部分。本發(fā)明的技術(shù)方案利用，能夠簡化工藝、提高屏蔽柵溝槽MOSFET的性能和可靠性。??