屏蔽柵溝槽MOSFET及其制備方法、電子設(shè)備
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010906159.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111834463A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-27 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111834463A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-27 |
| 分類號(hào) | H01L29/78(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊國(guó)江;賴信彰;于世珩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇長(zhǎng)晶科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京布瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 江蘇長(zhǎng)晶科技有限公司 |
| 地址 | 211800江蘇省南京市江北新區(qū)研創(chuàng)園江淼路88號(hào)騰飛大廈C棟13樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種屏蔽柵溝槽MOSFET及其制備方法、電子設(shè)備，該制備方法包括：在外延半導(dǎo)體層上形成溝槽；在溝槽的內(nèi)壁形成第一絕緣層，并在溝槽中形成第一柵極，第一絕緣層和第一柵極延伸至外延半導(dǎo)體層的表面，第一絕緣層用于隔開(kāi)第一柵極和外延半導(dǎo)體層；刻蝕第一絕緣層和第一柵極，使得刻蝕后的第一絕緣層的表面與刻蝕后的第一柵極的表面共面；在刻蝕后的第一柵極和刻蝕后的第一絕緣層的表面形成層間介電層；在溝槽的上部的側(cè)壁上形成第二絕緣層，并在溝槽的上部中形成第二柵極，其中，溝槽的上部為層間介電層遠(yuǎn)離第一柵極的表面至溝槽開(kāi)口的部分。本發(fā)明的技術(shù)方案利用，能夠簡(jiǎn)化工藝、提高屏蔽柵溝槽MOSFET的性能和可靠性。?? |
