一種溝槽型MOSFET的制造方法及其結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011087314.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111933529B | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111933529B | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-13 |
| 分類號(hào) | H01L21/336(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊國(guó)江;張勝凱;于世珩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇長(zhǎng)晶科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京華訊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 江蘇長(zhǎng)晶科技有限公司 |
| 地址 | 210000江蘇省南京市江北新區(qū)研創(chuàng)園騰飛大廈C座13樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)一種溝槽型MOSFET的制造方法及其結(jié)構(gòu)。該方法中形成柵極導(dǎo)體與屏蔽導(dǎo)體之間絕緣層的方法，包括如下步驟：在溝槽側(cè)壁、屏蔽導(dǎo)體上方以及外延半導(dǎo)體層表面，形成一層第一氧化物；在所述第一氧化物表面形成一層氮化物；在溝槽內(nèi)部以及外延半導(dǎo)體層上氮化物的上方沉積第二氧化物；將所述外延半導(dǎo)體層上氮化物的上方沉積的第二氧化物去除；將溝槽上部的第二氧化物去除；將外延半導(dǎo)體層上方以及溝槽上部的氮化物去除；將外延半導(dǎo)體層表面以及溝槽上部的第一氧化物去除。采用該方法得到的柵極導(dǎo)體與屏蔽導(dǎo)體之間三層的絕緣層結(jié)構(gòu)，其厚度將變得更厚且更易于控制，有助于改善寄生輸入電容，進(jìn)而改善器件在應(yīng)用時(shí)的切換損失。?? |
