一種屏蔽柵溝槽型MOSFET結構及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110822237.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113284953A 公開（公告）日 2021-08-20
申請公布號 CN113284953A 申請公布日 2021-08-20
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊國江;于世珩;張勝凱;白宗偉 申請（專利權）人 江蘇長晶科技股份有限公司
代理機構 南京華訊知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉小吉
地址 210000江蘇省南京市江北新區(qū)研創(chuàng)園騰飛大廈C座13樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種屏蔽柵溝槽型MOSFET結構，包括：半導體襯底；外延半導體層，形成在所述半導體襯底之上；阱區(qū)，形成在所述外延半導體層之上；源區(qū)，形成在所述阱區(qū)內部；第一溝槽和第二溝槽，形成在所述外延半導體層、所述源區(qū)和所述阱區(qū)的內部；以及第二源極導電通道，形成在所述源區(qū)和所述阱區(qū)的內部，以及形成在所述第一溝槽和所述第二溝槽之間；其中所述第一溝槽和所述第二溝槽之間的最短距離定義了所述第二源極導電通道的最大寬度。本發(fā)明的MOSFET結構可以實現(xiàn)刻蝕的自對準，解決了在兩個晶胞之間的間距太小的時候，現(xiàn)有的光刻機臺不能滿足所需的分辨率的技術問題；并且簡化了MOSFET的制造工藝進而節(jié)省了制造時間和成本。