一種屏蔽柵溝槽型MOSFET結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110822237.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113284953A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN113284953A 申請(qǐng)公布日 2021-08-20
分類(lèi)號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊國(guó)江;于世珩;張勝凱;白宗偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇長(zhǎng)晶科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京華訊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉小吉
地址 210000江蘇省南京市江北新區(qū)研創(chuàng)園騰飛大廈C座13樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種屏蔽柵溝槽型MOSFET結(jié)構(gòu)，包括：半導(dǎo)體襯底；外延半導(dǎo)體層，形成在所述半導(dǎo)體襯底之上；阱區(qū)，形成在所述外延半導(dǎo)體層之上；源區(qū)，形成在所述阱區(qū)內(nèi)部；第一溝槽和第二溝槽，形成在所述外延半導(dǎo)體層、所述源區(qū)和所述阱區(qū)的內(nèi)部；以及第二源極導(dǎo)電通道，形成在所述源區(qū)和所述阱區(qū)的內(nèi)部，以及形成在所述第一溝槽和所述第二溝槽之間；其中所述第一溝槽和所述第二溝槽之間的最短距離定義了所述第二源極導(dǎo)電通道的最大寬度。本發(fā)明的MOSFET結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)刻蝕的自對(duì)準(zhǔn)，解決了在兩個(gè)晶胞之間的間距太小的時(shí)候，現(xiàn)有的光刻機(jī)臺(tái)不能滿足所需的分辨率的技術(shù)問(wèn)題；并且簡(jiǎn)化了MOSFET的制造工藝進(jìn)而節(jié)省了制造時(shí)間和成本。