集成微納能量回收與存儲(chǔ)芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010416010.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111564988B 公開（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN111564988B 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) H02N2/18;H02N2/00;B82Y40/00 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 白民宇;劉歡;劉衛(wèi)國(guó);王宇晶;解飛;趙季杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安知象光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安智大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 何會(huì)俠
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)丈八街辦錦業(yè)路69號(hào)創(chuàng)業(yè)研發(fā)園C區(qū)1號(hào)瞪羚谷70104室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 集成微納能量回收與存儲(chǔ)芯片及其制備方法，該芯片由自下而上的基座、中間層、頂層以及嵌套在這三層結(jié)構(gòu)中的發(fā)電正極模塊、發(fā)電負(fù)極模塊以及電容模塊構(gòu)成；其中發(fā)電正極模塊和發(fā)電負(fù)極模塊內(nèi)部分別含有多孔三維石墨烯與對(duì)應(yīng)的正性和負(fù)性顆粒，在芯片受到振動(dòng)時(shí)顆粒與三維石墨烯壁面碰撞摩擦，分別產(chǎn)生正負(fù)電荷，經(jīng)過(guò)電源管理模塊處理后向外供電；電容模塊的作用是在發(fā)電功率大于供電功率時(shí)存儲(chǔ)振動(dòng)能量轉(zhuǎn)換而來(lái)的電能，并在發(fā)電功率不足時(shí)向外補(bǔ)充供電。本發(fā)明芯片中集成了能量回收和存儲(chǔ)元件，可以持續(xù)向外供電并存儲(chǔ)富余電量。芯片體積小，適用于移動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品與物聯(lián)網(wǎng)等；芯片采用半導(dǎo)體工藝批量生產(chǎn)，成本低，適于規(guī)模應(yīng)用。