一種半導(dǎo)體功率器件封裝及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811131943.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109300795B 公開(kāi)（公告）日 2020-05-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN109300795B 申請(qǐng)公布日 2020-05-19
分類(lèi)號(hào) H01L21/56;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/367 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 管先炳 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 江蘇矽智半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 226400 江蘇省南通市南通高新區(qū)金川路東、油榨路北
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體功率器件封裝及其制備方法，該方法包括：在所述金屬基底上設(shè)置導(dǎo)熱硅膠層、絕緣層以及電路布線(xiàn)層，并嵌入一隔熱型塑料框，將所述電路布線(xiàn)層分成第一區(qū)和第二區(qū)，在所述電路布線(xiàn)層的所述第一區(qū)域中裝配驅(qū)動(dòng)元件以及相應(yīng)的第一引腳，在所述電路布線(xiàn)層的所述第二區(qū)域中裝配功率元件以及相應(yīng)的第二引腳，接著形成第一樹(shù)脂密封膠層、第一導(dǎo)熱密封膠層、第二導(dǎo)熱密封膠層、第一隔熱密封膠層以及第二隔熱密封膠層。本發(fā)明的半導(dǎo)體功率器件封裝綜合性能優(yōu)異、穩(wěn)定性好且使用壽命長(zhǎng)。