基于快速協(xié)方差矩陣自適應(yīng)進(jìn)化策略的曲線(xiàn)型逆向光刻方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110761169.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113568278B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113568278B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-28 |
| 分類(lèi)號(hào) | G03F7/20（2006.01）I | 分類(lèi) | 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類(lèi)似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕; |
| 發(fā)明人 | 陳國(guó)棟;李思坤;王向朝 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海恒慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 201800上海市嘉定區(qū)清河路390號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 基于快速協(xié)方差矩陣自適應(yīng)進(jìn)化策略（Fast Covariance Matrix Adaptation EvolutionStrategy,Fast CMA?ES）的曲線(xiàn)型逆向光刻（Inverse Lithography,IL）方法。所述方法采用像素表征掩模圖形，每個(gè)像素代表該位置的掩模透過(guò)率。以不同曝光劑量偏差和離焦量條件下光刻膠圖形與目標(biāo)圖形之間的圖形誤差的加權(quán)疊加作為評(píng)價(jià)函數(shù)，采用快速協(xié)方差矩陣自適應(yīng)進(jìn)化策略?xún)?yōu)化掩模圖形。本方法將表征解空間分布的協(xié)方差矩陣近似為僅由兩個(gè)演化路徑構(gòu)成的簡(jiǎn)單模型的集合，借助協(xié)方差矩陣的低秩近似來(lái)學(xué)習(xí)主要的解搜索方向和變量相關(guān)性，自適應(yīng)地調(diào)整搜索步長(zhǎng)，提高了收斂效率及尋優(yōu)能力，有效提高了光刻成像質(zhì)量及工藝魯棒性。 |
