一種低溫制備銅摻雜氧化鎳薄膜的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510557191.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105280821A 公開（公告）日 2016-01-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN105280821A 申請(qǐng)公布日 2016-01-27
分類號(hào) H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹蔚然;楊一行;章婷;錢磊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州瑞晟新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街218號(hào)生物納米園A4-214
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低溫制備銅摻雜氧化鎳薄膜的方法。該方法首先通過溶液方法制備得到摻銅的氧化鎳納米顆粒。其制備為將銅和鎳的反應(yīng)前驅(qū)物，硬脂酸鎳和硬脂酸銅十八醇和十八烯按比例反應(yīng)，并通過加入乙醇和乙酸乙酯的混合液得到沉淀并提純。通過該方法制備得到的銅摻雜的氧化鎳納米顆粒能夠均勻分散在有機(jī)溶劑中，可以通過旋涂等方法制備氧化鎳薄膜。該氧化鎳薄膜不僅制備方法簡單，價(jià)格低廉，并其能級(jí)結(jié)構(gòu)能夠通過簡單的改變銅的摻雜比例獲得。因此，該摻雜氧化鎳薄膜能夠廣泛使用在薄膜太陽能電池和發(fā)光二極管中作為有效的空穴傳輸材料以提高其性能和器件壽命。