一種低溫制備銅摻雜氧化鎳薄膜的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510557191.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105280821A 公開(kāi)（公告）日 2016-01-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN105280821A 申請(qǐng)公布日 2016-01-27
分類(lèi)號(hào) H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹蔚然;楊一行;章婷;錢(qián)磊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州瑞晟新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街218號(hào)生物納米園A4-214
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種低溫制備銅摻雜氧化鎳薄膜的方法。該方法首先通過(guò)溶液方法制備得到摻銅的氧化鎳納米顆粒。其制備為將銅和鎳的反應(yīng)前驅(qū)物，硬脂酸鎳和硬脂酸銅十八醇和十八烯按比例反應(yīng)，并通過(guò)加入乙醇和乙酸乙酯的混合液得到沉淀并提純。通過(guò)該方法制備得到的銅摻雜的氧化鎳納米顆粒能夠均勻分散在有機(jī)溶劑中，可以通過(guò)旋涂等方法制備氧化鎳薄膜。該氧化鎳薄膜不僅制備方法簡(jiǎn)單，價(jià)格低廉，并其能級(jí)結(jié)構(gòu)能夠通過(guò)簡(jiǎn)單的改變銅的摻雜比例獲得。因此，該摻雜氧化鎳薄膜能夠廣泛使用在薄膜太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管中作為有效的空穴傳輸材料以提高其性能和器件壽命。