降低復(fù)合速率的PERC電池的制作方法和PERC電池

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110702939.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113328012A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN113328012A 申請(qǐng)公布日 2021-08-31
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/0236（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 應(yīng)小卡;福井健次;習(xí)冬勇;夏吉東;陳議文;李貴勇;陳剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江愛(ài)旭太陽(yáng)能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳盛德大業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 賈振勇
地址 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)好派路655號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)適用于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種降低復(fù)合速率的PERC電池的制作方法和PERC電池。降低復(fù)合速率的PERC電池的制作方法包括：對(duì)硅基底進(jìn)行制絨處理，以在制絨后的硅基底形成拋光層和被拋光層間隔的絨面層；對(duì)制絨后的硅基底進(jìn)行擴(kuò)散處理，以形成擴(kuò)散層；對(duì)擴(kuò)散后的硅基底進(jìn)行刻蝕處理；對(duì)刻蝕后的硅基底進(jìn)行退火處理，以形成氧化硅層；在退火后的硅基底沉積背面膜層和正面膜層；在沉積了背面膜層和正面膜層的硅基底上制作電路，電路包括電極，電極設(shè)于拋光層。如此，既能夠通過(guò)絨面層降低對(duì)太陽(yáng)光的反射率，又能夠通過(guò)拋光層降低電極接觸區(qū)域的表面復(fù)合速率，有利于提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。