一種P型背接觸式晶硅太陽能電池、制備方法及電池組件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110627504.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113345970A 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN113345970A 申請公布日 2021-09-03
分類號 H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵家俊;陳剛 申請（專利權(quán)）人 浙江愛旭太陽能科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳盛德大業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 賈振勇
地址 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)好派路655號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明適用太陽能電池加工技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種P型背接觸式晶硅太陽能電池、制備方法及電池組件，該P型背接觸式晶硅太陽能電池包括P型硅片，P型硅片的正面設(shè)置有鈍化減反射層；硅片基底的背面設(shè)置有P+摻雜區(qū)、N+摻雜區(qū)、背面鈍化層、正電極及負電極，P+摻雜區(qū)與N+摻雜區(qū)交替間隔分布；N+摻雜區(qū)包括設(shè)于P型硅片背面的隧穿氧化層、及設(shè)于隧穿氧化層之上的N+摻雜多晶硅；P型硅片背面對應(yīng)負電極的位置設(shè)有絨面結(jié)構(gòu)，負電極對應(yīng)絨面結(jié)構(gòu)的位置設(shè)有與N+摻雜多晶硅形成歐姆接觸的粗糙紋理結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的P型背接觸式晶硅太陽能電池可以有效改善負電極與N+摻雜多晶硅的歐姆接觸，提升電池效率，且實現(xiàn)方式簡單，實現(xiàn)成本低。