一種選擇性接觸區(qū)域掩埋型太陽能電池及其背面接觸結(jié)構(gòu)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110627514.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113299772A | 公開(公告)日 | 2021-08-24 |
申請公布號 | CN113299772A | 申請公布日 | 2021-08-24 |
分類號 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/056(2014.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 邱開富;王永謙;楊新強(qiáng);陳剛 | 申請(專利權(quán))人 | 浙江愛旭太陽能科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳盛德大業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 賈振勇 |
地址 | 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)好派路655號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明適用于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種選擇性接觸區(qū)域掩埋型太陽能電池及其背面接觸結(jié)構(gòu),該背面接觸結(jié)構(gòu)包括間隔設(shè)置于硅襯底背面的凹槽;交替設(shè)置在各個凹槽中的第一導(dǎo)電區(qū)和第二導(dǎo)電區(qū),第一導(dǎo)電區(qū)包括依次設(shè)置于凹槽上的第一電介質(zhì)層和第一摻雜區(qū)域,第二導(dǎo)電區(qū)包括第二摻雜區(qū)域;設(shè)置于第一導(dǎo)電區(qū)和第二導(dǎo)電區(qū)之間的第二電介質(zhì)層,第二電介質(zhì)層為至少一層;及設(shè)置在第一導(dǎo)電區(qū)和所述第二導(dǎo)電區(qū)上的導(dǎo)電層。本發(fā)明中提供的背面接觸結(jié)構(gòu),解決了現(xiàn)有對于溝槽寬度控制要求高及鈍化效果差的問題。 |
