一種等離子體輔助電子束蒸發(fā)沉積系統(tǒng)限流板

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121177408.8 申請日 -
公開（公告）號 CN214572200U 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號 CN214572200U 申請公布日 2021-11-02
分類號 C23C14/30（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 孫啟萌;劉麗娜 申請（專利權(quán)）人 山東偉航敏芯電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濰坊諾誠智匯知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄧鳴
地址 255086山東省淄博市高新區(qū)中潤大道158號MEMS產(chǎn)業(yè)園10號樓一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種等離子體輔助電子束蒸發(fā)沉積系統(tǒng)限流板，涉及等離子體輔助電子束蒸發(fā)沉積薄膜傳感器領(lǐng)域，包括限流板本體，所述限流板本體呈圓環(huán)形結(jié)構(gòu)；所述限流板本體中心位置開設(shè)有貫通式的限流孔；所述限流板本體表面還開設(shè)有一條環(huán)形凹槽。本實用新型相比其他結(jié)構(gòu)的空心陰極等離子體源，這種帶有限流板的系統(tǒng)具有一個匯聚的磁場，使得電子在通過限流板上的孔洞后聚集起來，形成更加緊密的電子束流，增加電子同中性粒子的碰撞可能。滿足等離子體源輔助電子束蒸發(fā)沉積系統(tǒng)對等離子體強(qiáng)度的要求，同時能夠在更低的溫度與壓強(qiáng)環(huán)境下形成等離子體。