晶體生長裝置和晶體生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110952925.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113652751B 公開（公告）日 2022-04-19
申請公布號 CN113652751B 申請公布日 2022-04-19
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 彭程;張潔;廖弘基;陳華榮 申請（專利權(quán)）人 湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 劉曾
地址 410000 湖南省長沙市長沙高新開發(fā)區(qū)長興路399號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及晶體生長技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種晶體生長裝置和晶體生長方法。晶體生長裝置包括坩堝蓋和坩堝體；坩堝體包括相互配合的側(cè)壁和底壁；沿坩堝體的高度，側(cè)壁包括多個(gè)壁體和多個(gè)連接段，壁體和連接段依次錯(cuò)開連接；坩堝蓋、底壁和壁體均由第一石墨材質(zhì)制成，連接段由第二石墨材質(zhì)制成；且第一石墨材質(zhì)的密度大于第二石墨材質(zhì)的密度。如此能夠提高坩堝內(nèi)部的N2含量，以增加原料及生長器件中吸附更多的N2，加大參與晶體生長反應(yīng)的N2含量，從而減小碳化硅晶片的電阻率。