一種坩堝蓋、坩堝及晶體生長裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202023340832.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN215163306U 公開（公告）日 2021-12-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN215163306U 申請(qǐng)公布日 2021-12-14
分類號(hào) C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 廖弘基;張潔;陳華榮;楊樹;陳澤斌;洪棋典 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 覃蛟
地址 410000湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)長沙岳麓西大道2450號(hào)環(huán)創(chuàng)園B1棟2405房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種坩堝蓋、坩堝及晶體生長裝置，涉及結(jié)晶設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。坩堝蓋包括蓋體，蓋體具有用于與籽晶粘接的粘接面，在蓋體的粘接面上固定有多孔粘接層。在蓋體的粘接面上固定多孔粘接層，可以有效的改善籽晶的粘接均勻性，提高籽晶粘接的質(zhì)量，抑制籽晶背面出現(xiàn)的升華現(xiàn)象，能夠有效減少晶體生長過程中六方空洞和微管等缺陷的產(chǎn)生，提高結(jié)晶的質(zhì)量。